IPD12N03LB G
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IPD12N03LB G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：30A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：11.6毫歐@30A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@20µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1300pF@15V
功率-最大值：52W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3